• उच्च वोल्टेज ZOV MOV VDR Varistor 7D431K 7D471K 7D511K 7D561K
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उच्च वोल्टेज ZOV MOV VDR Varistor 7D431K 7D471K 7D511K 7D561K

उच्च वोल्टेज ZOV MOV VDR Varistor 7D431K 7D471K 7D511K 7D561K

उत्पाद विवरण:

उत्पत्ति के प्लेस: चीन
ब्रांड नाम: Tian Rui
प्रमाणन: UL CSA VDE
मॉडल संख्या: 7D Varistors

भुगतान & नौवहन नियमों:

न्यूनतम आदेश मात्रा: 1000pcs
मूल्य: Negotiable
पैकेजिंग विवरण: पीई बैग या टेप और रील
प्रसव के समय: 5-7 दिन
भुगतान शर्तें: डी / पी, टी / टी, पेपैल, वेस्टर्न यूनियन
आपूर्ति की क्षमता: 1000000pcs / माह
सबसे अच्छी कीमत संपर्क करें

विस्तार जानकारी

डिस्क: जिंक आक्साइड परत: सिलिकॉन
प्रमुख: सीपी/घन तार इलेक्ट्रोड: चाँदी
एपॉक्सी रंग: हरा तापमान सीमा संचालित करना: -40 ℃ ~ + 85 ℃
स्टोरेज टेंपरेचर रेंज: -40 ℃ ~ + 125 ℃ मिलाप: एसएन: 96.5% सीयू 0.5% Ag3.0%
पैकिंग: थोक या टेप
हाई लाइट:

7D511K VDR Varistor

,

7D471K VDR Varistor

,

MOV 7D431K Varistor

उत्पाद विवरण

 

हाई वोल्टेज 7D सीरीज पिच 7MM D डायमेंशन VDR ZOV MOV मेटल जिंक ऑक्साइड Varistor

 

 

उच्च वोल्टेज ZOV MOV VDR Varistor 7D431K 7D471K 7D511K 7D561K 0

 

 

DIMENSIONS

उच्च वोल्टेज ZOV MOV VDR Varistor 7D431K 7D471K 7D511K 7D561K 1

 

तालिका नंबर एक
इकाई: मिमी
प्रतीक आयाम
डी (अधिकतम) 9.0
एच (अधिकतम) 12.0
एच0 (अधिकतम) 13.5
एफ (± 0.8) 5.0
टी तालिका 2
डी (± 0.05) 0.6
d1 (± 0.4) 1.2
एल (मिनट) 20.0
एल0 (मिनट) 15.0
एपॉक्सी रंग: हरा

 

तालिका 2
इकाई: मिमी
आदर्श टी आदर्श टी
180K 2.03-3.35 271K 2.57-4.21
220K 2.13-3.48 301K 2.66-4.38
270K 2.23-3.67 331K 2.76-4.56
330K 2.36-3.85 361K 2.86-4.74
390K 2.31-3.66 391K 2.95-4.92
470K 2.44-3.87 431K 3.08-5.16
560K 2.58-4.10 471K 3.21-5.39
680K 2.77-4.38 511K 3.34-5.63
820K 2.18-3.39 561K 3.50-5.93
101K 2.28-3.56 621K 3.69-6.29
121K 2.40-3.76 681K 3.89-6.64
151K 2.18-3.49 751K 4.11-7.06
181K 2.28-3.67 781K 4.21-7.24
201K 2.36-3.82 821K 4.34-7.48
221K 2.41-3.91 911K 4.63-8.01
241K 2.47-4.03    

 

विद्युत विशेषतायें

 

ZOV
भाग संख्या
ज्यादा से ज्यादा
स्वीकार्य वोल्टेज
वैरिस्टर वोल्टेज IR3 @ क्लैंपिंग वोल्टेज अधिकतम चोटी
करंट (8/20μs)
ज्यादा से ज्यादा
एबर्ग्ट 10/1000μs
सेवानिवृत्त शक्ति विशिष्ट समाई (संदर्भ)
एसीआरएम एस डीसी वी1.0 एमए μA कुलपति आईपी मानक उच्च वृद्धि मानक उच्च वृद्धि (डब्ल्यू) @1 किलोहर्ट्ज़
(वी) (वी) (वी) (वी) (ए) (ए) (जूल) (पीएफ)
07D180KP/Z 1 1 14 18(15-21.6) 50 10 36 2.5 250/125
*2
500/250
*2
0.9 2 0.02 2800
07D220KP/Z 14 18 22(19.5-26) 10 43 1.1 2.4 2300
07D270KP/Z 17 22 27(24-31) 10 53 1.4 3 1800
07D330KP/Z 20 26 33(29.5-36.5) 10 65 1.7 3.5 1500
07डी390केपी/जेड 25 31 39(35-43) 15 77 2.1 4 1300
07डी470केपी/जेड 30 38 47(42-52) 15 93 2.5 5 1100
07D560KP/Z 35 45 56(50-62) 15 110 3.1 6 890
07D680KP/Z 40 56 68 (61-75) 15 135 3.6 7 740
07डी820केपी/जेड 50 65 82(74-90) 16 28 135 10 1200/60
0*2
1750/12
000*2
5.5 10 0.25 600
07D101KP/Z 60 85 100 (90-110) 28 165 6.5 12 500
07डी121केपी/जेड 75 100 120(108-132) 28 200 7.8 13 420
07D151KP/Z 95 125 150(135-165) 28 250 9.7 15 330
07डी181केपी/जेड 115 150 180(162-198) 38 300 11.7 16 280
07D201KP/Z 130 170 200(185-225) 38 340 13 17 250
07डी221केपी/जेड 140 180 220(198-242) 38 360 14 19 230
07D241KP/Z 150 200 240(216-264) 38 395 15 21 210
07D271KP/Z 175 225 270(243-297) 38 455 18 24 185
07D301KP/Z 190 250 300 (270-330) 38 500 20 26 165
07डी331केपी/जेड 210 275 330(297-363) 38 550 23 28 150
07डी361केपी/जेड 230 300 360(324-396) 38 595 24 32 140
07डी391केपी/जेड 250 320 390(351-429) 38 650 26 35 130
07डी431केपी/जेड 275 350 430(387-473) 38 710 28 40 115
07डी471केपी/जेड 300 385 470(423-517) 38 775 29 42 105
07D511KP/Z 320 415 510(459-561) 38 845 31 45 100
07D561KP/Z 350 460 560(504-616) 38 925 35 49 90
07डी621केपी/जेड 385 505 620(558-682) 35 1025 38 55 80
07डी681केपी/जेड 420 560 680(612-748) 35 1120 42 60 75
07डी751केपी/जेड 460 615 750(675-825) 35 1240 45 64 70
07डी781केपी/जेड 485 640 780(702-858) 35 1290 48 69 65
07डी821केपी/जेड 510 670 820(738-902) 30 1355 52 73 60
07D911KP/Z 550 745 910(819-1001) 30 1500 57 78 55

 

विद्युत पैरामीटर

 

मैक्स।स्वीकार्य वोल्टेज संदर्भ p2* 1.0mA डीसी . पर
Varistor वोल्टेज (30ms के लिए परीक्षण समय) V0.1mA □ V1mA
रेटेड वाट क्षमता  
मैक्स।क्लांपिंग वोल्टेज टेस्ट करंट वेवफॉर्म 8/20μs
सर्ज करंट को समझना टेस्ट करंट वेवफॉर्म 8/20μs
मैक्स।ऊर्जा टेस्ट करंट वेवफॉर्म 10/1000μs
विशिष्ट समाई @ 1 किलोहर्ट्ज़
लीकेज करंट 80% Varistor वोल्टेज पर
नॉनलाइनियर एक्सपोनेंट (α) उच्च वोल्टेज ZOV MOV VDR Varistor 7D431K 7D471K 7D511K 7D561K 2
Varistor वोल्टेज का तापमान गुणांक
-0.05≤टीसी≤0.05(%
℃)
उच्च वोल्टेज ZOV MOV VDR Varistor 7D431K 7D471K 7D511K 7D561K 3 उच्च वोल्टेज ZOV MOV VDR Varistor 7D431K 7D471K 7D511K 7D561K 4V1mA@85℃-V1mA@25℃ × 1 × 100%(%/℃) V1mA@25℃ 60
उच्च वोल्टेज ZOV MOV VDR Varistor 7D431K 7D471K 7D511K 7D561K 5 उच्च वोल्टेज ZOV MOV VDR Varistor 7D431K 7D471K 7D511K 7D561K 6 उच्च वोल्टेज ZOV MOV VDR Varistor 7D431K 7D471K 7D511K 7D561K 7V1mA@-40℃-V1mA@25℃ × 1 × 100%(%/℃) V1mA@25℃ 65
आवेग जीवन ± 10% (वी 1 एमए) टेस्ट करंट वेवफॉर्म 8/20μs

 

सामग्री की सूची

 

सामग्री चार्ट RoHs वस्तु संघटन उत्पादक
परत सिलिकॉन UL 94-V0 परीक्षण के अनुरूप, पर्यावरणीय आवश्यकताओं को पूरा करें
नेतृत्व करना सीपी/घन तार चीन में निर्मित, पर्यावरणीय आवश्यकताओं को पूरा करें
इलेक्ट्रोड चाँदी चीन में निर्मित, पर्यावरणीय आवश्यकताओं को पूरा करें
डिस्क ज़िंक ऑक्साइड चीन में निर्मित, पर्यावरणीय आवश्यकताओं को पूरा करें
मिलाप एसएन: 96.5% सीयू 0.5% Ag3.0% चीन में निर्मित, पर्यावरणीय आवश्यकताओं को पूरा करें

 

यांत्रिक आवश्यकताएँ

 

समाप्ति की तन्यता कोई बकाया नुकसान नहीं 1.0 किग्रा;10 सेकंड।
समाप्ति का झुकना कोई बकाया नुकसान नहीं 0.5Kgf;90°,3 टाइम्स
कंपन कोई बकाया नुकसान नहीं आवृत्ति: 10-55 हर्ट्ज; एएमपी: 0.75 मिमी, 1 मिनट
.
मिलाप की न्यूनतम।टर्मिनल का 95% होना चाहिए
समान रूप से मिलाप के साथ कवर किया गया
मिलाप अस्थायी: 245 ± 5 ℃ विसर्जित समय: ≤5 सेकेंड।
टांका लगाने की गर्मी का प्रतिरोध △ V1mA / V1mA
± 5%
मिलाप अस्थायी: 260 ± 5 ℃ विसर्जित समय: 10 ± 1 सेकंड।

 

पर्यावरणीय आवश्यकताएं

 

उच्च तापमान भंडारण △ V1mA / V1mA
± 5%
परिवेश अस्थायी: 125 ± 2 ℃ अवधि: 1000h
कम तापमान भंडारण △ V1mA / V1mA
± 5%
परिवेश अस्थायी: -40 ± 2 ℃ अवधि: 1000h
उच्च आर्द्रता भंडारण / नम गर्मी △ V1mA / V1mA
± 5%
परिवेश अस्थायी: 40 ± 2 ℃ 90-95%
आरएच अवधि: 1000h
तापमान चक्र △ V1mA / V1mA
± 5%
कदम तापमान
(℃)
अवधि
(मिनट)
1 -40 ± 3 30 ± 3
2 कमरे का तापमान 15 ± 3
3 85±3 30 ± 3
4 कमरे का तापमान 15 ± 3
उच्च तापमान लोड △ V1mA / V1mA
± 10%
परिवेश अस्थायी: 85 ± 2 ℃ अवधि: 1000h लोड: मैक्स।स्वीकार्य वोल्टेज
उच्च आर्द्रता भार △ V1mA / V1mA
± 10%
परिवेश अस्थायी: 40 ± 2 ℃
90-95%RHDअवधि:1000H
लोड: मैक्स।स्वीकार्य वोल्टेज
तापमान सीमा संचालित करना -40 ℃ ~ + 85 ℃
स्टोरेज टेंपरेचर रेंज -40 ℃ ~ + 125 ℃

 

अंकन कोड

उच्च वोल्टेज ZOV MOV VDR Varistor 7D431K 7D471K 7D511K 7D561K 8

टेपिंग आयाम

 

प्रतीक आयाम (मिमी)
पी 12.7 ± 1.0
पी0 12.7 ± 0.3
पी1 3.85 ± 0.7
पी2 6.35 ± 1.3
एफ 5.0±0.8
एच 0 ± 2
वू 18.0 ± 1.0
W0 12.0 ± 1.0
W1 9.0 ± 0.5
डब्ल्यू 2 3.0मैक्स
एच 20.0 ± 2.0
मैं 1.0मैक्स
डी0 4.0 ± 0.2
टी 0.6 ± 0.3
बी 32मैक्स

 

मात्रा

 
उच्च वोल्टेज ZOV MOV VDR Varistor 7D431K 7D471K 7D511K 7D561K 9
 

बुनियादी सुविधाओं

 

संरक्षण विशेषताएं।जब प्रभाव स्रोत की प्रभाव शक्ति निर्दिष्ट मान से अधिक नहीं होती है, तो वेरिस्टर के सीमित वोल्टेज को प्रभाव प्रतिरोध वोल्टेज से अधिक होने की अनुमति नहीं है जो संरक्षित वस्तु का सामना कर सकती है।

 

निर्दिष्ट परिवेश तापमान और सिस्टम वोल्टेज condftions के तहत निर्दिष्ट समय के लिए varistor मज़बूती से काम करने में सक्षम होगा;बड़ी संख्या में यह एक निर्दिष्ट प्रभाव का मज़बूती से सामना कर सकता है

 

प्रभाव प्रतिरोध, अर्थात्, वैरिस्टर स्वयं निर्दिष्ट प्रभाव धारा, प्रभाव ऊर्जा और औसत शक्ति का सामना करने में सक्षम होना चाहिए जब उत्तराधिकार में कई झटके आते हैं।

 

सिस्टम में वेरिस्टर के हस्तक्षेप के बाद, "सुरक्षा वाल्व" की सुरक्षा के अलावा, यह कुछ अतिरिक्त प्रभाव भी लाएगा, जिसे "माध्यमिक" कहा जाता है।

 

 

 

 


 

 

 

 


 

 

 

 

 

 

 

इस उत्पाद के बारे में अधिक जानकारी जानना चाहते हैं
मुझे दिलचस्पी है उच्च वोल्टेज ZOV MOV VDR Varistor 7D431K 7D471K 7D511K 7D561K क्या आप मुझे अधिक विवरण भेज सकते हैं जैसे कि प्रकार, आकार, मात्रा, सामग्री, आदि।
धन्यवाद!